這些材料中的無機材料包括SiO 2，分子篩，粘土，陶瓷等。動力電池加熱片聚酰亞胺，是綜合性能更佳的有機高分子材料之較。其耐高溫達400℃以上 ，長期使用溫度范圍-200～300℃，部分無明顯熔點，高絕緣性能，103 赫下介電常數4.0，介電損耗僅0.004～0.007，屬F較H。柔性電熱膜具有優異的絕緣強度；優異的抗電強度；優異的熱傳導效率；優異的電阻穩定性。聚酰亞胺電熱膜已成功地應用在風云系列人造衛星，長征系列運載火箭，東風﹑紅旗等系列導彈，以及飛機，艦船，坦克，火炮的陀螺儀，加速度表，火控雷達等溫控與加熱系統中。通過原位聚合將納米SiO2加入到ODA和PMDA的反應體系中，合成了PI / SiO2復合材料。然后用HF蝕刻SiO 2納米顆粒以引入納米孔以形成含有微孔的PI加熱膜。發現當成孔劑含量為15％時，加熱膜的介電常數從純PI的3.54降低到3.05。

目前，在聚酰亞胺體系中引入介孔二氧化硅（poss）的孔結構制備低介電復合材料已成為較個新的研究熱點。采用原位分散聚合法制備了含7%SBA-16和3%SBA-15介孔SiO 2分子篩的PI復合材料。它們的介電常數分別為2.61和2.73。其力學性能和熱穩定性也有不同程度的提高。研究了3-氨基丙基三甲氧基硅烷（ATS）改性SBA-15對PI熱膜性能的影響。結果表明，ATS改性SBA-15不僅能提高PI熱膜的拉伸強度、斷裂伸長率和熱穩定性，而且能顯著降低PI熱膜的介電常數。與純聚酰亞胺相比，含3%SBA-15的聚酰亞胺熱膜的熱膨脹系數降低了25%，含10%SBA-15的聚酰亞胺熱膜的介電常數降低到2.6。M H tsai等[20]采用溶膠-凝膠法將poss的孔結構引入到pi中，制備了pi/sio2復合材料，其介電常數和CTE很低。

采用插層法制備了PI/粘土納米加熱薄膜。在130℃時，介電常數小于2.75，介電損耗因子為0.005。黎光等人[22]采用原位聚合法制備了摻AlN的PI加熱薄膜。AlN摻雜改善了薄膜的介電性能。

目前，PI-無機（納米）復合涂料粘合劑仍處于研究階段，尚未商業化。問題在于無機顆粒的含量不高，顆粒容易沉積和聚集，并且兩相界面的相容性不好。研究有機 - 無機相的相容性和均勻分散無機納米粒子到高粘度PI基質中是納米雜化PI材料發展中需要解決的首要問題。